主讲人： 姜宏伟

时  间： 2009.10.14

地  点： 物理系二楼会议室

主  办： 凝聚态物理学科

报告人简介：

    赵宏武，1987-91年天津大学本科，1991-94年天津大学硕士，1994-97年南京大学博士。2000-2003年先后在德国马普学会金属所、微结构物理所和美国加州大学伯克利校区从事研究工作。目前从事固态量子结构，特别是低维磁性结构、自旋电子学材料和固态信息新载体的实验研究。

 报告摘要：

    基于金属氧化物的电致电阻效应是指在外加电场作用下，金属－氧化物－金属薄膜结构的电阻在低阻和高阻态可逆变化的现象，变化率可达1000倍以上，转变速度可达纳秒量级。基于电致电阻效应的新型电阻存储器(RRAM)更具有高存取速度、低功耗、非破坏性读出、与现有CMOS工艺兼容、超高密度、抗辐射等优势，是预期取代目前市场产品的新一代非挥发性存储器。目前，电致电阻效应的物理机制尚不清楚，同时材料体系也多种多样。本报告将概述这一领域的研究进展，并且阐述如何利用界面结构来实现对电致电阻效应的有效控制。